A pesar de que en muchas gráficas se siga empleando la vieja memoria GDDR2 y de que la GDDR3 siga teniendo mucha aceptación en la gama alta en gráficas como las GeForce 8800 y las Radeon HD 2900 XT, con la incorporación de la más nueva memoria GDDR4 en algunas gráficas como en la Radeon X1950 XTX y en las versiones de 1 GB de la Radeon HD 2900 XT (precisamente, AMD confía en Samsung como proveedor de chips GDDR4), Samsung ha decidido apoyar e impulsar el nuevo tipo de memoria para gráficas GDDR5. Este movimiento de Samsung puede resultar sorprendente teniendo en cuenta que la GDDR4 apenas acaba de empezar a ganar aceptación en las gráficas, incluso en las de gama alta. Recuerda en algún modo al caso del fabricante de chips DRAM, que anunció su intención de omitir la producción de chips GDDR4 para pasar directamente de la GDDR3 a la GDDR5.
Dado que Samsung es uno de los fabricantes de memorias para gráficas más influyente e importante, además de ser un miembro evaluado de la JEDEC, organización que gestiona los estándares de memorias, el apoyo de Samsung para cualquier estándar de memoria es crucial y significativo. Según un informe de la empresa analista Jon Peddie Research sobre la evolución de los estándares de memorias para gráficas, la memoria GDDR3 actual se renovará con una revisión nueva. Esta revisión de la GDDR3 mejorará tanto la velocidad de ésta como la capacidad de que los diseños de gráficas de gama baja puedan empezar la transición de la memoria GDDR2 a la GDDR3. La velocidad de esta memoria GDDR3 mejorada será superior, 2.400 Mb por segundo en cada pin y aparecerá pronto.
Sin embargo, cabe la posibilidad de que el estándar GDDR4 quede en el olvido por la falta de productos y ensambladores que las empleen. Además, Samsung ha afirmado que no tiene intención alguna de renovar su línea de productos GDDR4, en el sentido de que no las mejorarán para alcanzar mayores frecuencias, mayores densidades ni voltajes de alimentación menores. Actualmente, las memorias GDDR4 se han estancado en los 3.200 Mb por segundo en cada pin con voltaje de 1,9 V. De todos modos, parece ser que no hay gráficas que puedan aprovechar toda esa velocidad de las GDDR4, ni tampoco existirán en un futuro cercano.
Samsung ha destacado entre sus planes de producto la fabricación en masa de las memorias GDDR5 a partir de enero de 2008 y se podrán ofrecer estos chips con densidades de 1 Gb a partir del segundo trimestre con el proceso de fabricación de Samsung "D-Die". La GDDR5 permitirá aumentar la velocidad de los 3.200 Mb por segundo en cada pin de la GDDR4 a 5.000 Mb por segundo en cada pin, con el proceso "G-Die" de Samsung, que parece constar de una gran oblea DRAM fabricada en 50 nm y de un elevado voltaje para minimizar la formación de electricidad estática y reducir las fugas de corriente.




Fuente: 'Pablo' de Noticias3d.